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mos管是FET的一種，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類(lèi)型，但實(shí)際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道mos管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問(wèn)底。對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小且容易制造。

MOS管的驅動(dòng)電路有兩個(gè)要點(diǎn)：

1、瞬態(tài)驅動(dòng)電流要夠大，所謂驅動(dòng)MOS管，主要就是對MOS管門(mén)極的寄生電容的充電放電，也就是打開(kāi)和關(guān)閉MOS管

2、NMOS的Vgs（門(mén)-源電壓）高于4V即可導通，PMOS的Vgs（門(mén)-源電壓）低于4V即可導通

直接驅動(dòng)NMOS

R1為負載

僅適用于NMOS低端驅動(dòng)，因為NMOS導通的條件是：Vgs高于4V左右，5V的PWM波剛好滿(mǎn)足要求（3.3V的低壓?jiǎn)纹瑱C這里就有無(wú)法完全打開(kāi)NMOS的風(fēng)險，表現為MOS發(fā)熱，或者負載兩端電壓過(guò)低）

推挽輸出

R1為負載

這個(gè)電路是共射極放大電路，主要是起到放大MOS管門(mén)極的驅動(dòng)電流，不能放大電壓，

適用于NMOS低端驅動(dòng)，單片機直接驅動(dòng)MOS管的門(mén)極時(shí)，電流不夠，開(kāi)關(guān)速度過(guò)慢，MOS管發(fā)熱時(shí)，可以增加驅動(dòng)電流，實(shí)現更快速的MOS管的開(kāi)關(guān)

一種變換電壓的推挽式驅動(dòng)電路

R3為負載

如果采用PMOS作為高端驅動(dòng)的話(huà)，那么關(guān)斷PMOS就要使門(mén)極電壓至少等于源極電壓

采用兩個(gè)NPN三極管+ 一個(gè)二極管，實(shí)現給PMOS門(mén)極0V~12V的快速變換

當然也可以用于NMOS的低端驅動(dòng)

此電路同時(shí)適用于3.3V輸出的單片機