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大多數電子技術(shù)在電源模塊中發(fā)展的趨勢是低電壓和大電流，而同步整流技術(shù)相比較其他技術(shù)而言，是高效低損耗方法，通過(guò)控制功率MOSFET的驅動(dòng)電路，實(shí)現整流功能。

同步整流技術(shù)的應用

同步整流技術(shù)出現較早，但早期的技術(shù)很難轉換為產(chǎn)品，這是由于當時(shí)

1）驅動(dòng)技術(shù)不成熟，可靠性不高，現在技術(shù)已逐步成熟，出現了專(zhuān)用同步整流驅動(dòng)芯片，如U321等；

2）專(zhuān)用配套的低導通電阻功率MOSFET還未投放市場(chǎng)；

3）還未采用MOSFET并聯(lián)肖特基二極管以降低寄生二極管的導通損耗；

4）在產(chǎn)品設計中沒(méi)有解決分布電感對MOSFET開(kāi)關(guān)損耗的影響。

經(jīng)過(guò)這幾年的發(fā)展，同步整流技術(shù)已經(jīng)成熟，由于開(kāi)發(fā)成本的原因，目前只在技術(shù)含量較高的通信電源模塊中得到應用。

現在的電源模塊仍主要應用在通信系統中，隨著(zhù)通信技術(shù)的發(fā)展，通信芯片所需的電壓逐步降低，5V和3.3V早已成為主流，正向2.5V、1.5V甚至更低的方向發(fā)展。通信設備的集成度不斷提高，分布式電源系統中單機功率不斷增加，輸出電流從早期的10-20A到現在的30-60A，并有不斷增大的趨勢，同時(shí)要求體積要不斷減小。這就為同步整流技術(shù)提供了廣泛的應用需求。

同步整流技術(shù)與傳統技術(shù)的對比

在傳統的次級整流電路中，肖特基二極管是低電壓、大電流應用的首選。其導通壓降大于0.4V，但當通信電源模塊的輸出電壓隨著(zhù)通信技術(shù)發(fā)展而逐步降低時(shí)，采用肖特基二極管的電源模塊效率損失驚人，在輸出電壓為5V時(shí)，效率可達85%左右，在輸出電壓為3.3V時(shí)，效率降為80%，1.5V輸出時(shí)只有65%，應用已不現實(shí)。

在低輸出電壓應用中，同步整流技術(shù)有明顯優(yōu)勢。功率MOSFET導通電流能力強，可以達到60A以上。采用同步整流技術(shù)后，次級整流的電壓降等于MOSFET的導通壓降，由MOSFET的導通電阻決定，而且控制技術(shù)的進(jìn)步也降低了MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗。在過(guò)去三年中，用于同步整流的MOSFET工藝取得了突破性的進(jìn)展，導通電阻下降到了原來(lái)的1/5?，F在，采用經(jīng)過(guò)特殊工藝處理的MOSFET，能達到非常低的導通電阻，如IR公司的產(chǎn)品IRHSNA57064，當通導電流為45A時(shí)，其導通電阻僅為5.6毫歐，并且已經(jīng)批量生產(chǎn)。

同步整流技術(shù)提高了次級整流效率，使生產(chǎn)低電壓、大電流、小體積的通信電源模塊成為現實(shí)。

同步整流技術(shù)可以很好的適應芯片，有很廣泛的運用。這是一塊還未被開(kāi)發(fā)的市場(chǎng)，大多數公司還沒(méi)有被掌握，而且相應的成本也比較高。但隨著(zhù)同步整流的MOSFET產(chǎn)品批量生產(chǎn)，專(zhuān)用驅動(dòng)芯片的出現，以及技術(shù)的成熟，同步整流將成為主流的電源技術(shù)。